bipolare Transistoren - Grundschaltungen	- Seite 15 -

Gegenüberstellung der Transistorgrundschaltungen

	Emitter - Schaltung	Kollektor - Schaltung	Basis - Schaltung
wechselstrommäßig auf Masse	Emitter  Eingang=Basis     Ausgang=Kollektor	Kollektor  Eingang=Basis     Ausgang=Emitter	Basis  Eingang=Emitter     Ausgang=Kollektor
Werte des Arbeitspunktes	UB = 12V ; IC = 2mA UCE = 6V ; UBE = 0,62V	wie vorher, damit Vergleich möglich	wie vorher, damit Vergleich möglich
Spannungsverstärkung vu = u2 / u1	vu = ß * rausg / reing ~ 183	vu ~ 1 wegen 100%iger Stromgegenkopplung	vu = ß * rausg / reing ~ 173 ähnlich der Emitterschaltung
Stromverstärkung vi = i2 / i1	vi = iC / iB = ß  =>  280	vi = ß   =>  280	vi ~ ß / (1+ß)  ~  1
Leistungsverstärkung vp = vu * vi	= 183 * 280 ~ 51000	vp = 1 * ß = ß = 280	vp = vu * vi ~ 173
Phasendrehung	180°	0°	0°
Wechselstromeingangs- widerstand reing	RV || rBE ~ rBE ~ 4kΩ	RV || (rBE + ß * RE) ~ 398kΩ	RE || rBE / ß ~ 13Ω
Wechselstromausgangs- widerstand rausg	RA || rCE = 3k || 20k ~ 2,6kΩ	RA || (rBE + Rgen / ß) ~ 13Ω	RA || rCE ~ 2,7k || 20k ~ 2,5kΩ ähnlich Emitterschaltung
Übersteuerungs- festigkeit	nein, weil schon ~ 60mVss zur max. Aussteuerung führen	100% übersteuerungsfest, weil U1 = U2 = 12Vss	nein, weil schon ~ 60mVss zur max. Aussteuerung führen
Anwendung	Standard - Verstärker	Impedanzwandler = Trennverstärker für hochohmige Eingangssignale	HF-Verstärker, weil diese zur Anpassung niedrigen reing brauchen
Besonderes	mittlerer reing 4kΩ und mittlerer rausg 2,6kΩ	hochohmiger reing z.B. 400kΩ niederohmiger rausg z.B. 13Ω	kleiner reing : 50Ω - 75Ω - 100Ω mittlerer rausg z.B. 2,5kΩ

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